Samsung 8-нм технологический техпроцесс для радиочастотных модулей 5G

Основная статья: 5G (пятое поколение мобильной связи)

2021: Анонс радиочастотной технологии на базе 8-нм техпроцесса

Компания Samsung Electronics 10 июня 2021 года представила радиочастотную технологию на базе 8-нанометрового (нм) техпроцесса.

По словам представителей компании, технология производства подойдет для создания «однокристальных решений», в частности, чипов 5G с поддержкой многоканальных и многоантенных микросхем. Благодаря этому Samsung рассчитывает укрепить свои позиции на рынке как на 5G-полупроводниковые решения для диапазона Sub-6, так и миллиметрового диапазона (mmWave).

8-нанометровый технологический техпроцесс для радиомодулей, представленный Samsung — последнее пополнение обширного портфолио радиочастотных решений компании, которое также включает 28-нм и 14-нм разработки. 28 мая министр цифрового развития Максут Шадаев выступит на TAdviser SummIT 8.1 т

Архитектура Samsung RFeFET

Благодаря продолжающемуся масштабированию и расширению цифровых узлов производительность, энергопотребление и площадь (PPA) цифровых схем значительно улучшились, тогда как в случае с аналоговыми / радиочастотными микросхемами этого не произошло по таким причинам, как негативное взаимное влияние побочного излучения элементов при уменьшении размеров радиоэлектронных модулей. В результате, у большинства чипов связи ухудшаются радиохарактеристики, в частности, уменьшается чувствительность, способность принимать слабые по интенсивности радиосигналы и повышается энергопотребление, - пояснили в Samsung Electronics.

Для решения этой проблемы Samsung разработала архитектуру для 8-нм радиочипов, под названием RFextremeFET (RFeFET). Она позволяет улучшить показатели и снизить потребление энергии. По сравнению с предыдущими 14-нм решениями, RFeFET сочетает цифровое PPA-масштабирование с повышением качества аналогового/RF-масштабирования, благодаря чему растет производительность 5G-платформ.

Разработанный компанией процесс повышает параметры каждого из поддерживаемых частотных диапазонов (для многоканальных и многоантенных решений), при этом сокращая негативное взаимное побочное влияние. Поскольку архитектура RFeFET значительно повышает производительность решения, то суммарное количество радиотранзисторов и площадь аналоговых радиоблоков могут быть уменьшены, подчеркнули в Samsung.

По оценкам компании, благодаря архитектуре RFeFET 8-нм решение Samsung повышает энергоэффективность на 35% и сокращает площадь радиочастотного модуля на 35% (по сравнению с 14-нм техпроцессом).